<装置の概要>

両面マスクアライナはウェハの表面と裏面にアライメント光学系を配置し、ウェハ裏面のパターンに合わせて、対応するウ ェハ表面 に『コンタクト』『N2吹上げコンタクト』で焼付けが行える高性能両面マスクアライナです。
 上下に配置した10×双対物レンズの鮮 明な光学系によりマスクとウェハのアライメントが行えます。
 また、双対物レンズの間隔は可変できますので不定形ウェハに対しても、 任意の間隔でアライメントが可能です。

<装置の仕様>

<利用例>

目的のデバイス
(パターン内容)
ダイアフラム構造作製のためのSi深堀り用裏窓パターン
基板サイズ 2インチ、  Siウエハ
使用レジスト ポジレジスト
露光条件 露光時間 20 s
目的のデバイス
(パターン内容)
フォトダイオードドライバのパターン
基板サイズ 4インチ
使用レジスト ポジレジスト(THMR)

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